【真空等離子設(shè)備】用等離子體聚合介質(zhì)膜可保護電子元件，用等離子體沉積導(dǎo)電膜可保護電子電路及設(shè)備免遭靜電荷積累而引起損壞，用等離子體沉積薄膜還可以制造電容器元件。在電子工業(yè)、化學(xué)工業(yè)、光學(xué)等方面有許多應(yīng)用。
?、俚入x子體沉積硅化合物。用SiH4+N2O〔或Si(OC2H4)+O2 〕,制成SiOxHy。氣壓1～5托（1托≈133帕），電源13.5兆赫。氮化硅沉積用SiH4+SiH3+N2。溫度300℃，沉積率約180埃／分。非晶碳化硅膜由硅烷加含碳的共反應(yīng)劑得SixC1+x：H，x 是Si/Si+C比例。硬度大于2500千克／毫米2 。
在多孔基片上,用等離子體沉積一層薄聚合膜，制成選擇性的滲透膜及反滲透膜，可用于分離混合氣中的氣體，分離離子與水。也可以組合超薄膜層，以適應(yīng)不同的選擇性，如分子大小，可溶性，離子親合性，擴散性等。【等離子Plasma】
在碳酸鹽-硅共聚物基片上,用一般方法沉積0.5毫米薄膜,氫／甲烷的滲透性比為0.85，甲烷的滲透性比氫的高。若用等離子體在基片上沉積苯甲氰單體,這一比值增為33,分離作用大為提高。
反滲透膜可用于海水脫鹽。在水流量低于一定閾值時，排鹽效果才好。烯烴族、雜芳香族及芳香胺等的聚合膜具有滿意的反滲透性。
?、诘入x子體沉積膜可用于光學(xué)元件，如消反射膜，抗潮、抗磨損等薄膜。
